| 发明名称 | 一种半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构，在所述栅极结构两侧的半导体衬底中形成凹槽；对所述凹槽实施预处理；在所述凹槽的底部形成籽晶层；在所述籽晶层上形成嵌入式锗硅层，以完全填充所述凹槽；在所述嵌入式锗硅层上形成帽层。根据本发明，在降低温度和处理时间的情况下，可以确保对所述凹槽的预处理达到对所述凹槽的洁净度的要求，保证后续外延生长所述籽晶层和所述嵌入式锗硅层的质量。 | ||
| 申请公布号 | CN104425375A | 申请公布日期 | 2015.03.18 |
| 申请号 | CN201310380190.X | 申请日期 | 2013.08.27 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 林静 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构，在所述栅极结构两侧的半导体衬底中形成凹槽；对所述凹槽实施预处理；在所述凹槽的底部形成籽晶层；在所述籽晶层上形成嵌入式锗硅层，以完全填充所述凹槽；在所述嵌入式锗硅层上形成帽层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||