半导体器件

摘要

本发明公开了一种半导体器件，一种常关型的而且实现了高移动性及高击穿电压的晶体管的技术。化合物半导体层ISM形成于衬底SUB上，且p型杂质浓度及n型杂质浓度双方均不满1×10¹⁶/cm³，并由Ⅲ族氮化物化合物构成。阱WEL为p型杂质层，且形成于化合物半导体层ISM。源极区域SOU形成于阱WEL内，为n型杂质层。低浓度n型区域LDD形成于化合物半导体层ISM，且与阱WEL相连。漏极区域DRN形成于化合物半导体层ISM，且介隔着低浓度n型区域LDD位于阱WEL的相反侧。漏极区域DRN为n型杂质层。

主权项

一种半导体器件，其特征在于，具有：衬底；化合物半导体层，其形成于所述衬底上，由Ⅲ族氮化物化合物构成，所述化合物半导体层中p型杂质浓度及n型杂质浓度均不满1×10¹⁶/cm³；形成于所述化合物半导体层上的p型阱；源极区域，其形成于所述化合物半导体层上，是n型杂质层；形成于所述化合物半导体层上且与所述阱相连的低浓度n型区域；漏极区域，其形成于所述化合物半导体层上，且隔着所述低浓度n型区域而位于所述阱的相反侧，是n型杂质层；栅极绝缘膜，其形成于所述阱的位于所述源极区域和所述低浓度n型区域之间的部分上；以及形成于述栅极绝缘膜之上的栅极电极。