半导体发光芯片及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体发光芯片，其包括基板及设置在该基板上的发光结构层，该发光结构层包括依次生长的第一型束缚层、发光层及第二型束缚层，该基板与该发光结构层之间还设置有缓冲层及覆盖层，该缓冲层包含有沿该基板延伸方向形成的碳纳米管结构，该碳纳米管结构中包含有同轴氮化物半导体，该覆盖层设置在该基板上且覆盖该缓冲层。本发明还提供一种制造该半导体发光芯片的方法。

主权项

一种半导体发光芯片，其包括基板及设置在该基板上的发光结构层，该发光结构层包括依次生长的第一型束缚层、发光层及第二型束缚层，其特征在于：该基板与该发光结构层之间还设置有缓冲层及覆盖层，该缓冲层包含有沿该基板延伸方向形成的碳纳米管结构，该碳纳米管结构中包含有同轴氮化物半导体，该覆盖层设置在该基板上且覆盖该缓冲层，该覆盖层包括第一薄膜与第二薄膜，第一薄膜与第二薄膜的材料为Al_sGa_tIn_(1‑s‑t)N,0<s<1,0<t<1,且0<(1‑s‑t)<1，所述第一薄膜与第二薄膜中的金属元素的含量不同。