发明名称 |
LED覆晶结构及其制造方法 |
摘要 |
一种LED覆晶结构,包括基板、形成于基板上的电路层及位于电路层上的LED芯片。所述电路层包括相互绝缘的第一电极与第二电极。所述LED芯片包括分别与电路层的第一电极与第二电极对应连接的正电极和负电极。所述正电极和负电极分别通过焊料覆晶连接所述第一电极和第二电极。所述LED覆晶结构还包括位于所述正电极与负电极之间的阻挡结构,所述阻挡结构为胶状绝缘材料制成。本发明还涉及一种该LED覆晶结构的制造方法。 |
申请公布号 |
CN102842666B |
申请公布日期 |
2015.03.18 |
申请号 |
CN201110169450.X |
申请日期 |
2011.06.22 |
申请人 |
赛恩倍吉科技顾问(深圳)有限公司 |
发明人 |
沈佳辉;洪梓健 |
分类号 |
H01L33/48(2010.01)I;H01L33/56(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/48(2010.01)I |
代理机构 |
深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 |
代理人 |
谢志为 |
主权项 |
一种LED覆晶结构的制造方法,包括以下步骤:提供一基板,该基板上形成有电路层,所述电路层包括相互绝缘的两电极;点胶,在电路层两电极之间滴加胶状绝缘材料,形成阻挡结构;覆晶,将LED芯片上的两个电极分别通过焊料覆晶连接于所述电路层的两电极,形成LED覆晶结构;加热焊料以使得焊料熔化,从而将LED芯片的两个电极与电路层上的两电极牢固结合;其中,在对焊料进行加热前,所述焊料位于该阻挡结构的外侧并与所述阻挡结构间隔设置。 |
地址 |
518109 广东省深圳市龙华新区龙观东路83号荣群大厦11楼 |