电压产生电路以及存储器

摘要

本发明提供了电压产生电路以及存储器。电压产生电路包括：正输入端连接至第一电源电压的比较器；第一和第二分压电阻器；第一PMOS晶体管，其栅极连接至所述比较器的输出端，源极连接至第二电源电压；第二PMOS晶体管，其源极连接至第一PMOS晶体管的漏极，栅极连接至第二PMOS晶体管的漏极以及第一分压电阻器的第二连接端；第一补偿电阻器，其第一连接端连接至所述第一PMOS晶体管的漏极；第一NMOS晶体管，其栅极连接至第一补偿电阻器的第二连接端，源极连接至第一补偿电阻器的第一连接端，补偿装置，用于补偿第一电源电压的变化以及温度的变化。本发明提供的电压产生电路通过提供第二PMOS晶体管、NMOS晶体管、补偿电阻器，补偿了工艺、电压和温度的变化。

主权项

一种电压产生电路，包括：比较器(G)，所述比较器(G)的正输入端连接至第一电源电压(VDD)；第一分压电阻器(R11)，所述第一分压电阻器(R11)的第一连接端连接至所述比较器(G)的负输入端；第二分压电阻器(R22)，所述第二分压电阻器(R22)的第一连接端接地，并且所述第二分压电阻器(R22)的第二连接端连接至所述第一分压电阻器(R11)的第一连接端；第一PMOS晶体管(MP1)，所述第一PMOS晶体管(MP1)的栅极连接至所述比较器(G)的输出端，所述第一PMOS晶体管(MP1)的源极连接至第二电源电压；以及第二PMOS晶体管(MP2)，所述第二PMOS晶体管(MP2)的源极连接至所述第一PMOS晶体管(MP1)的漏极，所述第二PMOS晶体管(MP2)的栅极连接至所述第二PMOS晶体管(MP2)的漏极以及所述第一分压电阻器(R11)的第二连接端；第一补偿电阻器(R1)，所述第一补偿电阻器(R1)的第一连接端连接至所述第一PMOS晶体管的漏极；第一NMOS晶体管(MN1)，所述第一NMOS晶体管(MN1)的栅极连接至所述第一补偿电阻器(R1)的第二连接端，所述第一NMOS晶体管(MN1)的源极连接至所述第一补偿电阻器(R1)的第一连接端；补偿装置(PVT)，连接至所述第一NMOS晶体管(MN1)的栅极，用于补偿第一电源电压的变化以及温度的变化。