三维交叉存取双端口位单元设计

摘要

本发明提供了一种半导体存储器，其包括具有被布置为多行和多列的多个交叉存取双端口位单元的双端口存储阵列，多个交叉存取双端口位单元中的每一个都具有两个交叉存取端口以用于从交叉存取双端口位单元读出和写入一位或多位数据。半导体存储器还包括与双端口存储阵列的多个行中的至少一行相关的字线对，字线对被配置为传输行选择信号对以用于在行中的一个或多个交叉存取双端口位单元上启动一个或多个读出和写入操作。半导体存储器还包括与双端口存储器阵列的多个列中的至少一列相关的列选择线对，列选择线对被配置为传输列选择信号对以用于在列中的交叉存取双端口位单元上启动读出和写入操作。本发明还提供了一种对双端口存储阵列实施的方法。

主权项

一种半导体存储器，包括：双端口存储阵列，具有被布置为多行和多列的多个交叉存取双端口位单元，所述多个交叉存取双端口位单元中的每一个都具有两个交叉存取端口以针对所述交叉存取双端口位单元读出和写入一位或多位数据；字线对，与所述双端口存储阵列的多个行中的至少一行相关，所述字线对被配置为传输行选择信号对以启动该行中的一个或多个交叉存取双端口位单元的一个或多个读出和写入操作；列选择线对，与所述双端口存储阵列的多个列中的至少一列相关，所述列选择线对被配置为传输列选择信号对以在读出和写入操作期间启动该列中的所述交叉存取双端口位单元。