一种半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：S101：在半导体衬底上形成包括伪栅极氧化层、伪栅极及栅极侧壁的前端器件，去除伪栅极氧化层和伪栅极；S102：在栅极侧壁之间形成界面层和高k介电层；S103：对位于拟形成P型高阈值电压晶体管和N型低阈值电压晶体管的区域的高k介电层进行氮化处理；S104：对前端器件进行氮化后退火工艺；S105：在高k介电层上形成金属栅极。该方法通过氮化处理工艺在N型低阈值电压晶体管和P型高阈值电压晶体管的高k介电层中引入氮元素，可有效实现对晶体管阈值电压的调节。本发明的半导体器件由于N型低阈值电压晶体管和P型高阈值电压晶体管的高k介电层掺杂有氮元素，具有良好的阈值电压。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S101：在半导体衬底上形成包括栅极侧壁以及位于所述栅极侧壁之间的伪栅极氧化层和伪栅极的前端器件，去除所述伪栅极和所述伪栅极氧化层；步骤S102：在所述栅极侧壁之间形成界面层和位于所述界面层之上的高k介电层；步骤S103：对位于拟形成N型低阈值电压晶体管的区域的高k介电层和位于拟形成P型高阈值电压晶体管的区域的高k介电层进行氮化处理；步骤S104：对所述前端器件进行氮化后退火工艺；步骤S105：在所述高k介电层上形成金属栅极。