快闪存储器及快闪存储器的制作方法

摘要

一种快闪存储器及快闪存储器的制作方法，其中快闪存储器的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有隧穿介质层、浮栅导电层以及掩膜层；图形化所述掩膜层，以图形化的掩膜层为掩膜，刻蚀浮栅导电层、隧穿介质层和部分厚度的半导体衬底，形成浅沟槽；形成填充满所述浅沟槽的隔离层；去除掩膜层；在浮栅导电层表面形成位于隔离层侧壁的导电侧墙；去除部分厚度的隔离层暴露出导电侧墙的侧壁；形成栅间介质层，所述栅间介质层覆盖隔离层、导电侧墙以及浮栅导电层；在所述栅间介质层表面形成控制栅导电层。本发明提高了快闪存储器耦合率，制作的快闪存储器具有低工作电压以及低功耗的优异性能。

主权项

一种快闪存储器的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有隧穿介质层、位于隧穿介质层表面的浮栅导电层以及位于浮栅导电层表面的掩膜层；图形化所述掩膜层，以图形化的掩膜层为掩膜，依次刻蚀浮栅导电层、隧穿介质层和部分厚度的半导体衬底，形成浅沟槽；形成填充满所述浅沟槽的隔离层，所述隔离层顶部与掩膜层表面齐平；去除掩膜层；在浮栅导电层表面形成导电侧墙且所述导电侧墙位于隔离层侧壁；去除部分厚度的隔离层暴露出导电侧墙的侧壁；形成栅间介质层，所述栅间介质层覆盖隔离层、导电侧墙以及浮栅导电层表面；在所述栅间介质层表面形成控制栅导电层。