| 发明名称 | 包括垂直沟道PMOS晶体管的可变电阻存储器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种具有垂直沟道的半导体器件、包括所述半导体器件的可变电阻存储器件以及所述半导体器件的制造方法。具有垂直沟道的所述半导体器件包括：垂直柱体，形成在半导体衬底上，并且包括内部部分和包围内部部分的外部部分；结区，形成在垂直柱体的外部部分中；以及栅极，被形成为包围垂直柱体。垂直柱体的内部部分具有比垂直柱体的外部部分小的晶格常数。 | ||
| 申请公布号 | CN104425713A | 申请公布日期 | 2015.03.18 |
| 申请号 | CN201410006953.9 | 申请日期 | 2014.01.07 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 朴南均 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 俞波;毋二省 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：垂直柱体，所述垂直柱体形成在半导体衬底上，并且包括内部部分和包围所述内部部分的外部部分；结区，所述结区形成在所述垂直柱体的所述外部部分中；以及栅极，所述栅极被形成为包围所述垂直柱体，其中，所述垂直柱体的所述内部部分的晶格常数小于所述垂直柱体的所述外部部分的晶格常数。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||