发明名称 制造集成电路元件的方法
摘要 本发明是有关于一种制造集成电路元件的方法,其包括以下步骤:(1)为第一子集制造多层光罩,此多层光罩具有多个图案,这些图案彼此不同,以分别对应第一子集的层结构。(2)为第二子集制造第一投产光罩,此第一投产光罩具有多个图案,这些图案彼此相同。(3)使用多层光罩和第一投产光罩进行试制。(4)试制后,为第一子集制造第二投产光罩。(5)使用第一投产光罩和第二投产光罩,制造集成电路元件。本发明的量产前的试制能够减少成本与材料,且使得量产速度较先前为快的方式进行,非常适于实用。
申请公布号 CN102915945B 申请公布日期 2015.03.18
申请号 CN201210291013.X 申请日期 2009.08.14
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 林丰隆;吴冠良;梁哲荣;蔡飞国
分类号 H01L21/70(2006.01)I;G03F1/38(2012.01)I;G03F1/42(2012.01)I 主分类号 H01L21/70(2006.01)I
代理机构 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 代理人 寿宁;张华辉
主权项 一种制造集成电路元件的方法,其特征在于,其中该集成电路元件具有多个层结构,将该些层结构至少区分为一第一子集和一第二子集,该制造集成电路元件的方法包括以下步骤:为该第一子集制造至少一多层光罩,其中该多层光罩具有多个图案,该些图案彼此不同,以分别对应该第一子集中的该些层结构;为该第二子集制造至少一第一投产光罩,其中该第一投产光罩包含多个图案,该些图案彼此相同;使用该多层光罩和该第一投产光罩,进行试制,其中进行该试制的步骤包含:一次将该多层光罩的该些图案其中之一,曝光至一晶圆的一子区域;以及一次将该投产光罩的该些图案,曝光至一晶圆的一区域;在所述试制后,为该第一子集制造至少一第二投产光罩;以及使用该第一投产光罩和该第二投产光罩,制造该集成电路元件。
地址 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号