采用金属硅化物的功率半导体器件结构及制备方法

摘要

本发明涉及一种采用金属硅化物的功率半导体器件结构，包括第一导电类型漂移区，第一导电类型漂移区内设有第二导电类型基区，第二导电类型基区内设有第一导电类型发射区；所述第一导电类型漂移区正面设有栅氧化层，栅氧化层上设有多晶栅；在所述第二导电类型基区上设有发射极，发射极与第二导电类型基区和该第二导电类型基区内的第一导电类型发射区相接触，多晶栅上设有栅电极；其特征是：在所述第一导电类型漂移区的背面形成第二导电类型集电区，在第一导电类型漂移区的背面淀积第一集电金属区，第一集电金属区上淀积第二集电金属区。本发明所述半导体器件的背面采用Pb、Pt 或Ni金属淀积，形成金属硅化物，电阻率较低，有利于形成欧姆接触。

主权项

一种采用金属硅化物的功率半导体器件结构，在所述半导体器件的截面上，包括第一导电类型漂移区，第一导电类型漂移区具有相互平行的正面和背面；所述第一导电类型漂移区内设有第二导电类型基区，第二导电类型基区由第一导电类型漂移区的正面向背面方向延伸，且第二导电类型基区的延伸距离小于第一导电类型漂移区的厚度；所述第二导电类型基区内设有第一导电类型发射区，第一导电类型发射区位于第二导电类型基区的上部，第一导电类型发射区由第一导电类型漂移区的正面向背面方向延伸，第一导电类型发射区的浓度大于第一导电类型漂移区的浓度；所述第一导电类型漂移区内的第二导电类型基区通过位于第一导电类型漂移区正面上的栅氧化层以及位于栅氧化层下方的第一导电类型漂移区相隔离；所述栅氧化层位于第一导电类型漂移区正面的中心区，分别与两侧的第二导电类型基区相接触，两侧第二导电类型基区内各有一第一导电类型发射区，该两个第一导电类型发射区相邻；栅氧化层与相邻的第一导电类型发射区相接触；在所述栅氧化层上设有多晶栅，多晶栅的形状与栅氧化层的形状相一致；所述第二导电类型基区位于第一导电类型漂移区正面中心区的外圈，第二导电类型基区环绕多晶栅和栅氧化层；在所述第二导电类型基区上设有发射极，发射极与第二导电类型基区和该第二导电类型基区内的第一导电类型发射区相接触，在多晶栅上设有栅电极；其特征是：在所述第一导电类型漂移区的背面注入第二导电类型离子形成第二导电类型集电区，在第一导电类型漂移区的背面淀积有第一集电金属区，第一集电金属区的一面覆盖在第一导电类型漂移区的背面，第一集电金属区的另一面上淀积有第二集电金属区；所述第一集电金属区是由Pd、Pt 或Ni淀积形成的金属薄膜。