| 发明名称 | 多晶硅栅极的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种多晶硅栅极的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成多晶硅层、及位于多晶硅层上的图形化掩模层；以图形化掩模层为掩模，对多晶硅层进行第一各向异性干法刻蚀，以去除部分厚度的多晶硅层，形成多晶硅栅极的上部；在加热条件下，利用含H<sub>2</sub>的气体进行第二各向异性干法刻蚀，以对多晶硅栅极上部的侧壁进行修整；第二各向异性干法刻蚀之后，对多晶硅层进行第三各向异性干法刻蚀，以去除部分厚度的多晶硅层下方的剩余多晶硅层，形成多晶硅栅极。利用该方法可以减小多晶硅栅极的线宽粗糙度。 | ||
| 申请公布号 | CN104425228A | 申请公布日期 | 2015.03.18 |
| 申请号 | CN201310383307.X | 申请日期 | 2013.08.28 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 孟晓莹;王冬江 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/3213(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种多晶硅栅极的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成多晶硅层、及位于多晶硅层上的图形化掩模层；以所述图形化掩模层为掩模，对所述多晶硅层进行第一各向异性干法刻蚀，以去除部分厚度的多晶硅层，形成多晶硅栅极的上部；在加热条件下，利用含H<sub>2</sub>的气体进行第二各向异性干法刻蚀，以对所述多晶硅栅极上部的侧壁进行修整；所述第二各向异性干法刻蚀之后，对所述多晶硅层进行第三各向异性干法刻蚀，以去除所述部分厚度的多晶硅层下方的剩余多晶硅层，形成多晶硅栅极。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||