芯片封装结构的制作方法

摘要

本发明涉及半导体工艺技术领域，公开了一种芯片封装结构的制作方法，该方法在芯片金属走线上形成钝化层和金属层后，首先进入高温合金炉管对金属层进行合金化处理形成金属合金层，然后再对金属合金层进行构图工艺形成压焊块，从而不会存在构图工艺中残留的光刻胶，在高温下炭化对高温合金炉管造成污染的问题。本发明的技术方案在芯片满足铜线封装打线的金属层厚度要求的同时，优化了芯片的制造工艺，不会增加合金炉管的保养频度，降低了芯片的制造成本。

主权项

一种芯片封装结构的制作方法，包括在衬底上形成第一金属层并对所述第一金属层进行第一构图工艺，形成芯片金属走线图案的步骤，所述衬底包括压焊区，其特征在于，还包括以下步骤：步骤S1、在所述芯片金属走线上形成钝化层；步骤S2、在所述钝化层上形成一定厚度的第二金属层；步骤S3、对所述第二金属层进行合金化处理，形成金属合金层；步骤S4、对所述金属合金层进行第二构图工艺，形成第一压焊块的图案，其中，所述第一压焊块位于所述压焊区的上方。