| 发明名称 | 浅沟槽隔离结构的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种浅沟槽隔离结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有沟槽；在所述半导体衬底表面形成具有流动性的前驱材料层，所述前驱材料层填充满所述沟槽；对所述前驱材料层进行微波处理或行H<sub>2</sub>O等离子体处理，使所述前驱材料层转变成介质层。所述浅沟槽隔离结构的形成方法可以提高将前驱材料层转变成介质层的效率，提高介质层的隔离效果。 | ||
| 申请公布号 | CN104425343A | 申请公布日期 | 2015.03.18 |
| 申请号 | CN201310382846.1 | 申请日期 | 2013.08.28 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 何永根 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有沟槽；在所述半导体衬底表面形成具有流动性的前驱材料层，所述前驱材料层填充满所述沟槽；对所述前驱材料层进行微波处理，使所述前驱材料层转变成介质层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||