| 发明名称 | 互连线的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种互连线的形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成导电层；在所述导电层上形成含Ta扩散阻挡层；在所述含Ta扩散阻挡层上形成图形化的光刻胶；以所述图形化的光刻胶为掩膜，使用Cl<sub>2</sub>和He等离子体刻蚀所述含Ta扩散阻挡层，刻蚀至含Ta扩散阻挡层下表面，形成图形化的含Ta扩散阻挡层；以所述图形化的光刻胶和图形化的含Ta扩散阻挡层为掩膜，刻蚀所述导电层，形成互连线。由本发明提供的方法制备得到的互连线可靠性高。 | ||
| 申请公布号 | CN104425363A | 申请公布日期 | 2015.03.18 |
| 申请号 | CN201310401315.2 | 申请日期 | 2013.09.05 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 伏广才;汪新学;倪梁 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/3213(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种互连线的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成导电层；在所述导电层上形成含Ta扩散阻挡层；在所述含Ta扩散阻挡层上形成图形化的光刻胶；以所述图形化的光刻胶为掩膜，使用Cl<sub>2</sub>和He等离子体刻蚀所述含Ta扩散阻挡层，刻蚀至含Ta扩散阻挡层下表面，形成图形化的含Ta扩散阻挡层；以所述图形化的光刻胶和图形化的含Ta扩散阻挡层为掩膜，刻蚀所述导电层，形成互连线。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||