| 发明名称 | 硅和硅锗纳米线的形成 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种或多种半导体布置以及用于形成这种半导体布置的技术。例如，利用一个或多个硅和硅锗叠层，以形成包括锗纳米线沟道的PMOS晶体管和包括硅纳米线沟道的NMOS晶体管。在一个实例中，氧化第一硅和硅锗叠层，以将硅转化为氧化硅区，去除氧化硅区以形成PMOS晶体管的锗纳米线沟道。在另一个实例中，去除第二硅和硅锗叠层内的硅锗层，以形成NMOS晶体管的硅纳米线沟道。具有锗纳米线沟道的PMOS晶体管和具有硅纳米线沟道的NMOS晶体管作为单次制造工艺的一部分而形成。 | ||
| 申请公布号 | CN104425495A | 申请公布日期 | 2015.03.18 |
| 申请号 | CN201310594134.6 | 申请日期 | 2013.11.21 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 江国诚;卡洛斯·H·迪亚兹;让-皮埃尔·科林格 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/775(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;B82Y10/00(2011.01)I | 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种半导体布置，包括：第一纳米线晶体管，包括：第一锗纳米线沟道，形成在第一源极区和第一漏极区之间；和第一栅极结构，形成在所述第一锗纳米线沟道周围；以及第二纳米线晶体管，包括：第一硅纳米线沟道，形成在第二源极区和第二漏极区之间。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||