| 发明名称 | 硅通孔的抛光方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示了一种硅通孔的抛光方法，所述硅通孔的抛光方法包括：提供半导体基底，所述半导体基底上具有硅通孔，所述半导体基底上覆盖有一铜层，所述铜层填充所述硅通孔；对所述铜层进行第一抛光；对所述铜层进行第二抛光，以形成铜导线层，其中，所述第二抛光的底下压力小于所述第一抛光的底下压力。本发明的硅通孔的抛光方法，分步对所述铜层进行抛光，并减小所述第二抛光的底下压力，可以减小对铜的研磨率，从而可以减少或消除硅通孔中的凹痕缺陷，从而提高器件的电学性能。 | ||
| 申请公布号 | CN104425353A | 申请公布日期 | 2015.03.18 |
| 申请号 | CN201310365548.1 | 申请日期 | 2013.08.20 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 许金海;丁宇杰 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种硅通孔的抛光方法，包括：提供半导体基底，所述半导体基底上具有硅通孔，所述半导体基底上覆盖有一铜层，所述铜层填充所述硅通孔；对所述铜层进行第一抛光；对所述铜层进行第二抛光，以形成铜导线层；其中，所述第二抛光的底下压力小于所述第一抛光的底下压力。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||