互连结构

摘要

本发明公开了一种互连结构，包括：芯片，具有上表面和下表面；穿硅通孔（TSV），贯穿芯片的上下表面；TSV光纤通路，由光纤填充在TSV中形成，作为芯片间的互连介质，至少与芯片一个表面中的半导体器件实现电接触和/或电连接。依照本发明的互连结构，在TSV结构的3D封装中使用光纤替代传统的金属互连，解决了在高速数据传输中电互连存在的延迟、功耗、带宽等缺点，另外提出了在电信号的输出端与光发送器之间根据需要增加可编程器件或数据分配器，极大的增加了封装设计的灵活性。

主权项

一种互连结构，包括：芯片，具有上表面和下表面；穿硅通孔（TSV），贯穿芯片的上下表面；TSV光纤通路，由光纤填充在TSV中形成，作为芯片间的互连介质，至少与芯片一个表面中的半导体器件实现电接触和/或电连接。