| 发明名称 | 光电组件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种光电组件及其制造方法。根据本发明之光电组件包含一半导体结构组合、形成在该半导体结构组合之上表面之一第一表面钝化层以及形成该第一表面钝化层上之一第二表面钝化层。该半导体结构组合包含至少一p-n接面。特别地，该第一表面钝化层的界面缺陷密度小于该第二表面钝化层的界面缺陷密度，并且该第二表面钝化层的固定氧化层电荷值大于该第一表面钝化层的固定氧化层电荷值。 | ||
| 申请公布号 | CN102738248B | 申请公布日期 | 2015.03.18 |
| 申请号 | CN201110098663.8 | 申请日期 | 2011.04.11 |
| 申请人 | 昆山中辰矽晶有限公司 | 发明人 | 陈敏璋;陈欣锐;徐文庆 |
| 分类号 | H01L31/02(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人 | 翟羽 |
| 主权项 | 一种光电组件，包含： 一半导体结构组合，该半导体结构组合包含至少一p‑n接面(p‑n junction)并且具有一上表面； 一以原子层沉积的方法形成的第一表面钝化层，该第一表面钝化层系形成以覆盖该半导体结构组合之该上表面，该第一表面钝化层具有一第一界面缺陷密度(interfacial state density，D<sub>it</sub>)与一第一固定氧化层电荷(fixed oxide charge，Q<sub>f</sub>)；以及 一以原子层沉积的方法形成的第二表面钝化层，该第二表面钝化层系形成以覆盖该第一表面钝化层，该第二表面钝化层具有一第二界面缺陷密度与一第二固定氧化层电荷； 其中，该第一界面缺陷密度小于该第二界面缺陷密度，并且该第二固定氧化层电荷值大于该第一固定氧化层电荷值。 | ||
| 地址 | 215316 江苏省昆山市城北汉浦路303号 | ||