发明名称 | 具有减小的电压输入/输出装置的基于电阻的存储器 | ||
摘要 | 本发明揭示一种具有减小的电压I/O装置的基于电阻的存储器。在一特定实施例中,电路包括数据路径,所述数据路径包括第一电阻性存储器单元和第一负载晶体管。参考路径包括第二电阻性存储器单元和第二负载晶体管。所述第一负载晶体管和所述第二负载晶体管为适于在负载供应电压下操作的输入和输出I/O晶体管,所述负载供应电压类似于所述电路内的核心晶体管的核心供应电压。 | ||
申请公布号 | CN102782762B | 申请公布日期 | 2015.03.18 |
申请号 | CN201180006350.3 | 申请日期 | 2011.01.21 |
申请人 | 高通股份有限公司 | 发明人 | 金圣克;金吉苏;升·H·康 |
分类号 | G11C11/16(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/16(2006.01)I |
代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 宋献涛 |
主权项 | 一种电路,其包含:数据路径,其包含第一电阻性存储器单元和第一负载晶体管;以及参考路径,其包含第二电阻性存储器单元和第二负载晶体管,其中所述第一负载晶体管和所述第二负载晶体管为适于在负载供应电压下操作的输入和输出I/O晶体管,所述负载供应电压类似于所述电路内的核心晶体管的核心供应电压,且其中所述第一负载晶体管和所述第二负载晶体管中的每一者具有比所述核心晶体管的沟道长度长的第一沟道长度。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |