发明名称 过刻蚀率的测试结构及其形成方法、过刻蚀率的测量方法
摘要 一种过刻蚀率的测试结构及其形成方法、过刻蚀率的测量方法,其中过刻蚀率的测试结构包括:基底,基底包括第一区和第二区;位于第一区上的第一层间介质层;位于第二区上的第二层间介质层;位于第二层间介质层上的第一刻蚀停止层,第一刻蚀停止层的上表面与第一层间介质层的上表面齐平;位于所述第一刻蚀停止层和第一层间介质层上的第三层间介质层;位于第一区上第三层间介质层中的第一沟槽;位于第二区上第三层间介质层中的第二沟槽;第一通孔,第一通孔呈上大下小的截头圆锥形;第二通孔,第二通孔上大下小的截头圆锥形。本发明提供的测试结构可以减小测量过刻蚀率的复杂度。
申请公布号 CN104425450A 申请公布日期 2015.03.18
申请号 CN201310401295.9 申请日期 2013.09.05
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 周俊卿;孟晓莹;张海洋
分类号 H01L23/528(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L23/544(2006.01)I 主分类号 H01L23/528(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 骆苏华
主权项 一种过刻蚀率的测试结构,其特征在于,包括:基底,所述基底包括位于不同位置的第一区和第二区;位于第一区上的第一层间介质层;位于第二区上的第二层间介质层;位于第二层间介质层上的第一刻蚀停止层,第一刻蚀停止层的上表面与第一层间介质层的上表面齐平;位于所述第一刻蚀停止层和第一层间介质层上的第三层间介质层,第一层间介质层、第二层间介质层和第三层间介质层的材料相同;位于第一区上第三层间介质层中的第一沟槽;位于第二区上第三层间介质层中的第二沟槽;位于第一沟槽下方、第三层间介质层和第二层间介质层中的第一通孔,所述第一通孔呈上大下小的截头圆锥形;位于第二沟槽下方、第三层间介质层中的第二通孔,所述第二通孔呈上大下小的截头圆锥形。
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