发明名称 |
过刻蚀率的测试结构及其形成方法、过刻蚀率的测量方法 |
摘要 |
一种过刻蚀率的测试结构及其形成方法、过刻蚀率的测量方法,其中过刻蚀率的测试结构包括:基底,基底包括第一区和第二区;位于第一区上的第一层间介质层;位于第二区上的第二层间介质层;位于第二层间介质层上的第一刻蚀停止层,第一刻蚀停止层的上表面与第一层间介质层的上表面齐平;位于所述第一刻蚀停止层和第一层间介质层上的第三层间介质层;位于第一区上第三层间介质层中的第一沟槽;位于第二区上第三层间介质层中的第二沟槽;第一通孔,第一通孔呈上大下小的截头圆锥形;第二通孔,第二通孔上大下小的截头圆锥形。本发明提供的测试结构可以减小测量过刻蚀率的复杂度。 |
申请公布号 |
CN104425450A |
申请公布日期 |
2015.03.18 |
申请号 |
CN201310401295.9 |
申请日期 |
2013.09.05 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
周俊卿;孟晓莹;张海洋 |
分类号 |
H01L23/528(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L23/544(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/528(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种过刻蚀率的测试结构,其特征在于,包括:基底,所述基底包括位于不同位置的第一区和第二区;位于第一区上的第一层间介质层;位于第二区上的第二层间介质层;位于第二层间介质层上的第一刻蚀停止层,第一刻蚀停止层的上表面与第一层间介质层的上表面齐平;位于所述第一刻蚀停止层和第一层间介质层上的第三层间介质层,第一层间介质层、第二层间介质层和第三层间介质层的材料相同;位于第一区上第三层间介质层中的第一沟槽;位于第二区上第三层间介质层中的第二沟槽;位于第一沟槽下方、第三层间介质层和第二层间介质层中的第一通孔,所述第一通孔呈上大下小的截头圆锥形;位于第二沟槽下方、第三层间介质层中的第二通孔,所述第二通孔呈上大下小的截头圆锥形。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |