| 发明名称 | 存储装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种存储装置及其制造方法。该存储装置包括一衬底、一三维存储阵列(3Dmemory array)、一周边电路(periphery circuit)以及一导电连接结构(conductive connection structure)。三维存储阵列及周边电路叠层设置于衬底上。周边电路包括一图案化金属层及一接触结构(contact structure)，接触结构电性连接于图案化金属层。导电连接结构电性连接于图案化金属层，三维存储阵列经由导电连接结构电性连接至周边电路。 | ||
| 申请公布号 | CN104425498A | 申请公布日期 | 2015.03.18 |
| 申请号 | CN201310382680.3 | 申请日期 | 2013.08.28 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 萧逸璿;施彦豪;陈士弘;吕函庭 |
| 分类号 | H01L27/105(2006.01)I;H01L21/8232(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/105(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
| 主权项 | 一种存储装置，包括：一衬底；一三维存储阵列(3Dmemory array)及一周边电路(periphery circuit)叠层设置于该衬底上，该周边电路包括：一图案化金属层；及一接触结构(contact structure)，电性连接于该图案化金属层；以及一导电连接结构(conductive connection structure)，电性连接于该图案化金属层，其中该三维存储阵列经由该导电连接结构电性连接至该周边电路。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 | ||