| 发明名称 | 一种反熔丝结构 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种反熔丝结构，包括：NMOS晶体管，所述NMOS晶体管中边缘处的沟道长度大于中心处的沟道长度；编程晶体管，所述NMOS晶体管中的源区与所述编程晶体管相连，所述NMOS晶体管中的漏区与编程电源相连。本发明所述反熔丝结构包括一MOS晶体管，所述MOS晶体管中边缘部分的沟道长度大于中心部分的沟道的长度，相应的，所述栅极结构中两端的关键尺寸大于中间部位的关键尺寸，所述反熔丝结构编程时在所述漏区和编程晶体管上施加编程电压后，引发源区和漏区的击穿，形成通路，起到反熔丝的作用。 | ||
| 申请公布号 | CN104425448A | 申请公布日期 | 2015.03.18 |
| 申请号 | CN201310410836.4 | 申请日期 | 2013.09.10 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 甘正浩;冯军宏 |
| 分类号 | H01L23/525(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/525(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种反熔丝结构，包括：NMOS晶体管，所述NMOS晶体管中边缘处的沟道长度大于中心处的沟道长度；编程晶体管，所述NMOS晶体管中的源区与所述编程晶体管相连，所述NMOS晶体管中的漏区与编程电源相连。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||