发明名称 |
用于制造半导体器件的方法和半导体器件 |
摘要 |
本发明公开了用于制造半导体器件的方法和半导体器件。根据各种实施例,一种用于制造半导体器件的方法可以包括:提供半导体工件,该半导体工件包括在半导体工件的第一侧的器件区域,其中半导体工件的机械稳定性不足以在不损坏的情况下经受至少一个后端工艺,并且在半导体工件的与半导体工件的第一侧相对的第二侧之上沉积至少一个传导层,其中至少一个传导层增加半导体工件的机械稳定性以足以在不损坏的情况下经受至少一个后端工艺。 |
申请公布号 |
CN104425483A |
申请公布日期 |
2015.03.18 |
申请号 |
CN201410425941.X |
申请日期 |
2014.08.26 |
申请人 |
英飞凌科技股份有限公司 |
发明人 |
T·费舍尔;C·阿伦斯;D·佐杰卡;A·施门 |
分类号 |
H01L27/02(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京市金杜律师事务所 11256 |
代理人 |
王茂华 |
主权项 |
一种用于制造半导体器件的方法,所述方法包括:提供半导体工件,所述半导体工件包括在所述半导体工件的第一侧的器件区域,其中所述半导体工件的机械稳定性不足以在不损坏的情况下经受至少一个后端工艺;在所述半导体工件的与所述半导体工件的所述第一侧相对的第二侧之上沉积至少一个传导层,其中所述至少一个传导层增加所述半导体工件的所述机械稳定性以足以在不损坏的情况下经受所述至少一个后端工艺。 |
地址 |
德国诺伊比贝尔格 |