接触孔偏移量测结构

摘要

本实用新型提供一种接触孔偏移量测结构，其至少包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的对称分布的两组量测图形，所述量测图形包括形成在所述半导体衬底表面的有源区和等间距排布在所述有源区上的多晶硅栅桥；位于其中一组量测图形上的第一接触孔图形，所述第一接触孔图形包括以相同间距排布在所述有源区上的接触孔组；其中，各接触孔组之间的间距大于各多晶硅栅桥之间的间距，所述接触孔组与所述多晶硅栅桥交错间隔分布，且每个接触孔组和与其邻近的多晶硅栅桥之间具有不同的预设偏移量；位于另一组量测图形上的与所述第一接触孔图形呈镜像对称分布的第二接触孔图形。本实用新型能够通过电学量测检测到接触孔的偏移，简单实用，量测精度高。

主权项

一种接触孔偏移量测结构，其特征在于，所述接触孔偏移量测结构至少包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的对称分布的两组量测图形，所述量测图形包括形成在所述半导体衬底表面的有源区和等间距排布在所述有源区上的多晶硅栅桥；位于其中一组量测图形上的第一接触孔图形，所述第一接触孔图形包括以相同间距排布在所述有源区上的接触孔组；其中，各接触孔组之间的间距大于各多晶硅栅桥之间的间距，所述接触孔组与所述多晶硅栅桥交错间隔分布，且每个接触孔组和与其邻近的多晶硅栅桥之间具有不同的预设偏移量；以及，位于另一组量测图形上的第二接触孔图形，所述第二接触孔图形与所述第一接触孔图形呈镜像对称分布。