发明名称 |
多晶硅叠层、双栅以及半导体材料叠层刻蚀方法 |
摘要 |
本发明提供了一种多晶硅叠层刻蚀方法、双栅刻蚀方法以及半导体材料叠层刻蚀方法。所述多晶硅叠层刻蚀方法包括:光刻胶涂覆步骤,用于在顶部多晶硅层上涂覆光刻胶;曝光步骤,用于对光刻胶进行曝光以得到光刻胶图案;第一刻蚀步骤,用于以执行曝光步骤之后得到的光刻胶图案为掩模刻蚀顶部多晶硅层,以使得刻蚀后的顶部多晶硅层的截面形成一个上窄下宽的梯形;以及第二刻蚀步骤,用于以执行曝光步骤之后得到的光刻胶图案为掩模刻蚀底部多晶硅层。根据本发明的刻蚀方法,所得到的多晶硅叠层的侧壁能够相对比较垂直,消除了侧壁上的倒凹;并且,本发明的刻蚀方法还保证了不会出现底部多晶硅残留以及顶部多晶硅层上宽下窄的楔形轮廓。 |
申请公布号 |
CN101908479B |
申请公布日期 |
2015.03.18 |
申请号 |
CN201010198424.5 |
申请日期 |
2010.06.11 |
申请人 |
上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
张振兴;奚裴 |
分类号 |
H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/3065(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
郑玮 |
主权项 |
一种多晶硅叠层刻蚀方法,包括: 光刻胶涂覆步骤,用于在顶部多晶硅层上涂覆光刻胶;以及 曝光步骤,用于对光刻胶进行曝光以得到光刻胶图案; 所述方法的特征在于,所述方法还包括: 第一刻蚀步骤,采用干法刻蚀执行,用于以得到的光刻胶图案为掩模刻蚀顶部多晶硅层,以使得刻蚀后的顶部多晶硅层的截面形成一个上窄下宽的梯形,所述上窄下宽的梯形的底角为85度‑89度;以及 第二刻蚀步骤,用于以得到的光刻胶图案为掩模刻蚀底部多晶硅层。 |
地址 |
201203 上海市张江高科技园区祖冲之路1399号 |