发明名称 |
一种高强度抗接触损伤多孔SiC的制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种高强度抗接触损伤多孔SiC的制备方法,包括如下步骤:(1)将木材在600-1100℃进行碳化处理,气氛为惰性气体或氢气,处理时间为1-6小时;(2)将碳化处理后的木材在液态聚碳硅烷中浸渍处理得到碳模板,浸渍环境为真空;(3)浸渍处理后的碳模板进行固化处理,固化温度为180℃-250℃,固化时间为1-5小时;(4)将固化后的碳模板在惰性气体或氢气的保护下进行高温处理,或者在真空环境中进行高温处理,得到多孔SiC陶瓷,本发明方法使得木材模板中的多孔结构可以保留,多孔SiC在高气孔率的情况下仍能达到高的压缩强度,并具有优异的抗接触损伤能力。 |
申请公布号 |
CN103319194B |
申请公布日期 |
2015.03.18 |
申请号 |
CN201310251379.9 |
申请日期 |
2013.06.24 |
申请人 |
航天材料及工艺研究所;中国运载火箭技术研究院 |
发明人 |
周延春;王晓飞;卢新坡;陶孟;胡继东;孙新;冯志海 |
分类号 |
C04B38/00(2006.01)I;C04B35/565(2006.01)I |
主分类号 |
C04B38/00(2006.01)I |
代理机构 |
中国航天科技专利中心 11009 |
代理人 |
范晓毅 |
主权项 |
一种高强度抗接触损伤多孔SiC的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:(1)将木材在600‑1100℃进行碳化处理,气氛为惰性气体或氢气,处理时间为1‑6小时;(2)将碳化处理后的木材在液态聚碳硅烷中浸渍处理得到碳模板,浸渍环境为真空,浸渍处理的温度为15‑35℃,浸渍时间为2‑10天;所述液态聚碳硅烷为乙烯基取代的液态聚碳硅烷,分子量M<sub>n</sub>和M<sub>w</sub>分别为658和1449,固化后陶瓷转化率为84%;(3)浸渍处理后的碳模板进行固化处理,固化温度为180℃‑250℃,固化时间为1‑5小时;(4)将固化后的碳模板在惰性气体或氢气的保护下进行高温处理,或者在真空环境中进行高温处理,得到多孔SiC陶瓷,其中高温处理温度为1000‑1500℃,进行高温处理的升温速率为4‑20℃/min,处理时间为2‑8小时。 |
地址 |
100076 北京市丰台区南大红门路1号 |