制备高宽深比结构的等离子蚀刻方法及堆叠式电容器的制备方法

摘要

本发明公开了一种制备高宽深比结构的等离子蚀刻方法及装置。该方法包括以下步骤：置放基板于等离子蚀刻装置内，其中该等离子蚀刻装置包括一上电极板及一下电极板；持续提供一上源射频电力及一直流电力至该上电极板；以及间断地提供一偏压射频电力至该下电极板。当该偏压射频电力被切换至关状态时，大量二次电子会通过主体等离子且到达该基板而与正离子中和。

主权项

一种制备高宽深比结构的等离子蚀刻方法，其特征在于，包括以下步骤：形成一光罩于一基板上，其中该光罩具有一图案；置放该基板及光罩于一等离子蚀刻装置内，其中该等离子蚀刻装置包括一处理室、一上电极板及一下电极板，该上电极板及该下电极板位于该处理室内，且该下电极板包括一夹具，用以夹持该基板；导入一处理气体至该处理室中；在等离子蚀刻工艺中，持续提供一上源射频电力及一直流电力至该上电极板；以及提供一偏压射频电力至该下电极板，以在该处理室内产生等离子而得以根据该光罩的图案蚀刻该基板，其中，在等离子蚀刻工艺中，该偏压射频电力间断地提供；其中该偏压射频电力为一脉冲电力，且在开与关之间交替切换，其中该偏压射频电力在开状态时提供，而该偏压射频电力在关状态时则被切断；其中当该偏压射频电力切换至关状态时，该处理气体从该处理室被移除，且一添加气体被导入该处理室中。