发明名称 |
钝化发射极背电极硅晶太阳能电池及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种钝化发射极背电极硅晶太阳能电池及其制造方法,其包括P型硅片、N型掺杂层、正面介电层、正面电极、背面介电层、第一背面电极以及第二背面电极。P型硅片在背面上具有主栅线区域以及除主栅线区域以外的其他区域。背面介电层具有位于主栅线区域的第一开口图案以及位于其他区域的第二开口图案,其中第一开口图案与第二开口图案暴露出P型硅片,且背面介电层的第一开口图案不同于第二开口图案。 |
申请公布号 |
CN104425634A |
申请公布日期 |
2015.03.18 |
申请号 |
CN201310728746.X |
申请日期 |
2013.12.20 |
申请人 |
友晁能源材料股份有限公司 |
发明人 |
郑丞良;周益钦;刘珈芸;王品胜;吴邦豪 |
分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/068(2012.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I |
代理机构 |
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 |
代理人 |
臧建明 |
主权项 |
一种钝化发射极背电极硅晶太阳能电池,其特征在于,包括:一P型硅片,其具有一受光面与一背面,所述P型硅片在所述背面上具有一主栅线区域以及除所述主栅线区域以外的其他区域;一N型掺杂层,位于所述P型硅片的所述受光面上;一正面介电层,位于所述N型掺杂层上;一正面电极,位于所述正面介电层上;一背面介电层,位于所述P型硅片的所述背面上,所述背面介电层具有位于所述主栅线区域的一第一开口图案以及位于所述其他区域的一第二开口图案,其中所述第一开口图案与所述第二开口图案暴露出所述P型硅片,且所述背面介电层的所述第一开口图案不同于所述第二开口图案;一第一背面电极,位于所述背面介电层上,并填入所述第一开口图案内;以及一第二背面电极,位于所述背面介电层上,并填入所述第二开口图案内。 |
地址 |
中国台湾苗栗县竹南镇科研路50-6号3F |