晶体管及其形成方法

摘要

一种晶体管及其形成方法，其中晶体管包括：半导体衬底的表面具有第一掺杂区，第一掺杂区内具有第一掺杂离子，第一掺杂区内的第一掺杂离子具有第一浓度；位于第一掺杂区部分表面且具有第一掺杂离子的半导体层，半导体层内的第一掺杂离子具有第一浓度；位于半导体层内的第二掺杂区，第二掺杂区位于半导体层侧壁和顶部的表面，第二掺杂区内具有第一掺杂离子，第二掺杂区内的第一掺杂离子具有第二浓度，第二浓度大于第一浓度；位于半导体层两侧侧壁内的第二掺杂区表面的栅极结构；位于半导体层和栅极结构两侧的部分第一掺杂区和部分半导体衬底内的漏区，漏区内具有第一掺杂离子，漏区内的第一掺杂离子具有第二浓度。晶体管的尺寸缩小、集成度提高。

主权项

一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底的表面具有第一掺杂区，所述第一掺杂区内具有第一掺杂离子，所述第一掺杂区内的第一掺杂离子具有第一浓度；在所述第一掺杂区的部分表面形成具有第一掺杂离子的半导体层，所述半导体层内的第一掺杂离子具有第一浓度；在形成具有第一掺杂离子的半导体层之后，在所述半导体层内再次掺杂第一掺杂离子，在所述半导体层的侧壁表面和顶部表面形成第二掺杂区，所述第二掺杂区内的第一掺杂离子具有第二浓度，所述第二浓度大于第一浓度；在形成第二掺杂区之后，在半导体层两侧的侧壁表面形成栅极结构；在半导体层和栅极结构两侧的部分第一掺杂区和部分半导体衬底内形成漏区，所述漏区内具有第一掺杂离子，所述漏区内的第一掺杂离子具有第二浓度。