发明名称 半导体装置及其制造和运行方法和制造半导体组件的方法
摘要 本发明涉及半导体装置及其制造和运行方法和制造半导体组件的方法。该半导体装置包括上和下接触板以及多个芯片组件。每个芯片组件具有半导体芯片,其具有半导体本体,半导体本体具有上侧和与上侧对置的在垂直方向上隔开的下侧。在上侧上分别布置有单独的上主电极和控制电极。芯片组件分别具有独立的布置在有关的芯片组件的半导体芯片的下侧上的下主电极或在每个芯片组件中布置在该芯片组件的半导体本体的下侧上的共同的下主电极。在每个芯片组件中借助其控制电极能够控制在上主电极与下主电极之间的电流。芯片组件通过介电填料以材料决定的方式彼此连接成固定复合体。嵌入复合体中的控制电极互连结构将芯片组件的控制电极彼此导电连接。
申请公布号 CN104425413A 申请公布日期 2015.03.18
申请号 CN201410450708.7 申请日期 2014.09.05
申请人 英飞凌科技股份有限公司 发明人 G.比尔;I.埃舍尔-珀佩尔;J.赫格尔;O.霍尔费尔德;P.坎沙特
分类号 H01L23/48(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L23/10(2006.01)I;H01L23/28(2006.01)I;H01L21/58(2006.01)I;H01L25/07(2006.01)I 主分类号 H01L23/48(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 卢江;胡莉莉
主权项 一种半导体装置(7),包括:上接触板(41)和下接触板(42);多个芯片组件(2),所述芯片组件中的每一个具有:‑ 半导体芯片(1),该半导体芯片具有半导体本体(10),其中所述半导体本体(10)具有上侧和与所述上侧对置的下侧,并且其中所述上侧在垂直方向(v)上与所述下侧隔开;‑ 布置在所述上侧上的单独的上主电极(11);以及‑ 布置在所述上侧上的单独的控制电极(13);其中所述芯片组件(2)要么分别具有独立的下主电极(12),所述独立的下主电极被布置在有关的芯片组件(2)的半导体芯片(100)的下侧上,要么具有共同的下主电极(92),所述共同的下主电极在所述芯片组件(2)中的每一个中被布置在该芯片组件(2)的半导体本体(100)的下侧上;其中在所述芯片组件(2)中的每一个中,借助该芯片组件的控制电极(13)能够控制在单独的上主电极(11)与单独的或共同的下主电极(12,92)之间的电流;介电填料(4),通过所述介电填料将所述芯片组件(2)以材料决定的方式彼此连接成固定复合体(6);控制电极互连结构(70),所述控制电极互连结构被嵌入到所述固定的复合体(6)中并且所述控制电极互连结构将所述芯片组件(2)的控制电极(13)彼此导电连接。
地址 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号