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三步法吸收层后掺钠柔性太阳电池的制备方法，其特征在于：包括以下制备步骤：步骤1.制备聚酰亚胺膜‑苏打玻璃构成的刚性复合衬底；步骤2.在刚性复合衬底的聚酰亚胺膜上制备后掺钠柔性太阳电池；制备过程包括：在步骤1的聚酰亚胺膜上依次制备Mo背接触层、铜铟镓硒吸收层、氟化钠预置层、硫化镉缓冲层、透明窗口层和上电极；所述铜铟镓硒吸收层的制备过程包括：制有Mo背接触层的刚性复合衬底置于薄膜制备系统的硒化炉中；⑴将硒化炉抽真空，刚性复合衬底温度为350‑400℃，共蒸发In、Ga、Se，其中In蒸发源温度为850‑900℃，Ga蒸发源温度为880‑920℃，Se蒸发源温度为240‑280℃，蒸发时间为15‑20min，控制原子比例In：Ga=0.7:0.3，(In+Ga)：Se为2:3；⑵刚性复合衬底升温至550‑580℃，共蒸发Cu、Se，其中Cu蒸发源温度为1120‑1160℃，Se蒸发源温度为240‑280℃，蒸发时间为15‑20min；⑶刚性复合衬底温度保持550‑580℃，共蒸发In、Ga、Se，其中In蒸发源温度为850‑900℃，Ga蒸发源温度为880‑920℃，Se蒸发源温度为240‑280℃，In和Ga的蒸发时间为2‑4min，控制Cu/(In+Ga)在0.88‑0.92，衬底冷却到350‑400℃，关闭Se蒸发源，刚性复合衬底冷却到25℃时，背接触层上形成1.5‑2μm厚的p‑CIGS薄膜，即为铜铟镓硒吸收层；所述氟化钠预置层的制备过程包括：制有铜铟镓硒吸收层的刚性复合衬底置于薄膜制备系统的硒化炉中，将硒化炉抽真空，衬底温度为200‑300℃，NaF蒸发源的温度达到800‑850℃时，蒸发1‑2min；衬底温度达到400‑450℃，在Se气氛下进行退火，其中Se蒸发源的温度为240‑280℃，退火时间为20‑30min；铜铟镓硒吸收层上形成化学分子式为NaF、厚度为20‑30nm的氟化钠预置层。步骤3.将聚酰亚胺膜与苏打玻璃分离，完成刚性衬底制备三步法吸收层后掺钠柔性太阳电池的过程。 |
