一种双拼电容及其制造方法

摘要

本申请公开了一种双拼电容，在重掺杂硅衬底上具有第一氧化硅，在第一氧化硅上具有氮化硅，在部分的氮化硅上具有第二氧化硅。第一部分的金属在氮化硅之上。第二部分的金属在第二氧化硅之上。由重掺杂硅衬底作为电容下极板，由第一部分的金属作为电容上极板，由第一氧化硅和氮化硅的总和作为两极板间介质，便构成了第一电容器区域。由重掺杂硅衬底作为电容下极板，由第二部分的金属作为电容上极板，由第一氧化硅和氮化硅和第二氧化硅的总和作为两极板间介质，便构成了第二电容器区域。本申请还公开了其制造方法。本申请的双拼电容有利于电容品质因数的提升，并且可以缩小器件面积。其制造工艺得以简化、且成本降低。

主权项

一种双拼电容，其特征是，在重掺杂硅衬底上具有一层第一氧化硅，在第一氧化硅上具有一层氮化硅，在部分的氮化硅上具有第二氧化硅；第一部分的金属在氮化硅之上，其底面仅与氮化硅的顶面相接触；第二部分的金属在第二氧化硅之上，其底面仅与第二氧化硅的顶面相接触；由重掺杂硅衬底作为电容下极板，由第一部分的金属作为电容上极板，由第一氧化硅和氮化硅的总和作为两极板间介质，便构成了第一电容器区域；由重掺杂硅衬底作为电容下极板，由第二部分的金属作为电容上极板，由第一氧化硅和氮化硅和第二氧化硅的总和作为两极板间介质，便构成了第二电容器区域。