绝缘体上硅反向导通横向绝缘栅双极晶体管及其制备方法

摘要

一种SOI RC LIGBT，包括：衬底；隔离氧化层；形成于N型漂移区一端的P+区域；形成于P阱区域的P+发射极区域；形成于P+发射极区域和P阱区域交界处N+发射极区域；形成于N型漂移区远离P+发射极区域一端的集电极区域；设于N型漂移区上的场氧化层；设于场氧化层上的栅氧化层；设于栅氧化层上的多晶硅栅电极；设于栅氧化层上的介质层；设于P+发射极区域上的发射极金属层；设于集电极区域上的集电极金属层。上述SOI RC LIGBT由于在集电极区域设置了N+集电极区域，实现了反向导通能力。N+集电极区域、N型漂移区、和P阱区域构成内置二极管，应用时不需要另外设计反并联二极管单元，节省了芯片面积，同时消除了IGBT与二极管反并联时的寄生参数。

主权项

一种绝缘体上的硅反向导通横向绝缘栅双极晶体管，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括依次层叠的P型本体区、埋氧化层、P型埋层和N型漂移区；隔离氧化层，所述N型漂移区和所述P型埋层形成有穿通所述N型漂移区和所述P型埋层的沟槽，所述沟槽的底部为所述埋氧化层，所述隔离氧化层填满所述沟槽，所述隔离氧化层将所述N型漂移区和所述P型埋层隔离为多个硅岛；形成于所述N型漂移区一端的P+区域，所述P+区域延伸至所述P型埋层内；形成于所述N型漂移区一端的P阱区域，所述P阱区域和所述P+区域形成于所述N型漂移区的同一端，所述P阱区域和所述P+区域接触；形成于所述P阱区域的P+发射极区域，所述P+发射极区域和所述P+区域接触；形成于所述P+发射极区域和所述P阱区域交界处N+发射极区域；形成于所述N型漂移区远离所述P+发射极区域一端的集电极区域，所述集电极区域包括P+集电极区域和N+集电极区域，所述N+集电极区域被所述P+集电极区域间隔设置；设于所述N型漂移区上的场氧化层，所述场氧化层覆盖所述N型漂移区和所述集电极区域的一部分；设于所述场氧化层上的栅氧化层，所述栅氧化层覆盖所述场氧化层、所述P阱区域和所述N+发射极区域的一部分；设于所述栅氧化层上的多晶硅栅电极，所述多晶硅栅电极覆盖所述栅氧化层对应所述P阱区域的一端；设于所述栅氧化层上的介质层，所述介质层覆盖所述多晶硅栅电极、N+发射极区域的一部分和所述栅氧化层的一部分；设于所述P+发射极区域上的发射极金属层，所述发射极金属层覆盖所述P+发射极区域和所述N+发射极区域的一部分，所述发射极金属层和所述介质层接触；设于所述集电极区域上的集电极金属层，所述集电极金属层覆盖所述集电极区域和所述栅氧化层的一部分，所述集电极金属层和所述介质层接触。