| 发明名称 | 通孔的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种通孔的形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成层间介质层；在所述层间介质层上形成平行分布的条状结构，所述条状结构作为刻蚀所述层间介质层的掩膜，所述条状结构定义通孔在长度方向的位置；在所述层间介质层和所述条状结构上形成第一填充层，所述第一填充层的上表面平坦；在所述第一填充层上表面形成图形化的掩膜层，所述图形化的掩膜层定义通孔在宽度方向的位置；以所述图形化的掩膜层和条状结构为掩膜，刻蚀所述第一填充层和所述层间介质层，在所述层间介质层中形成通孔。本发明提供的通孔的形成方法简化了形成通孔的复杂度。 | ||
| 申请公布号 | CN104425361A | 申请公布日期 | 2015.03.18 |
| 申请号 | CN201310401307.8 | 申请日期 | 2013.09.05 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 张城龙;黄敬勇;张海洋 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种通孔的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成层间介质层；在所述层间介质层上形成平行分布的条状结构，所述条状结构作为刻蚀所述层间介质层的掩膜，所述条状结构定义通孔在长度方向的位置；在所述层间介质层和所述条状结构上形成第一填充层，所述第一填充层的上表面平坦；在所述第一填充层上表面形成图形化的掩膜层，所述图形化的掩膜层定义通孔在宽度方向的位置；以所述图形化的掩膜层和条状结构为掩膜，刻蚀所述第一填充层和所述层间介质层，在所述层间介质层中形成通孔。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||