晶体管的形成方法

摘要

一种晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括PMOS区域，所述PMOS区域半导体衬底表面形成有PMOS栅极结构；在所述PMOS栅极结构两侧的半导体衬底内形成凹槽；采用第一外延工艺在凹槽内形成第一应力层，所述第一应力层上表面低于半导体衬底上表面；采用第二外延工艺形成覆盖第一应力层的第二应力层，所述第二应力层的材料中含有碳原子，且所述第二应力层上表面高于半导体衬底上表面或与半导体衬底上表面齐平。本发明提高半导体衬底上表面附近区域应力层的致密度及稳定性，降低应力层受到晶体管形成工艺中化学物质侵蚀的速率，从而提高晶体管的载流子迁移率，提高晶体管的驱动电流。

主权项

一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括PMOS区域，所述PMOS区域半导体衬底表面形成有PMOS栅极结构；在所述PMOS栅极结构两侧的半导体衬底内形成凹槽；采用第一外延工艺在凹槽内形成第一应力层，且所述第一应力层上表面低于半导体衬底上表面；采用第二外延工艺形成覆盖第一应力层的第二应力层，所述第二应力层的材料中含有碳原子，且所述第二应力层上表面高于半导体衬底上表面或与半导体衬底上表面齐平。