一种控制原位掺杂非晶硅应力的方法

摘要

本发明公开了一种控制原位掺杂非晶硅应力的方法，其特征在于，包括如下步骤：1）进行非晶硅生长工艺；在非晶硅生长完成后，进行退火温度为T的第一次退火；测量应力，得到第一次退火后应力值S3；应力的变化值控制范围为S1～S2，则调整第二次退火实际所需温度上限为T1=（S3-S1-24）/8*10+T，调整第二次退火实际所需温度下限为T2=（S3-S2-24）/8*10+T。本发明根据多次试验，得出如何调整退火温度进而控制应力值变化的技术方案，该方案操作简单，易于实施，对于改进生产质量具有非常优异的效果，从而提高了整体效益。

主权项

一种控制原位掺杂非晶硅应力的方法，其特征在于，包括如下步骤：1）进行非晶硅生长工艺；2）在非晶硅生长完成后，进行退火温度为T的第一次退火;3）测量应力，得到第一次退火后应力值S3；4）应力的变化值控制范围为S1～S2，则调整第二次退火实际所需温度上限为T1=（S3‑S1‑24）/8*10+T，调整第二次退火实际所需温度下限为T2=（S3‑S2‑24）/8*10+T。