发明名称 具有电流阻挡结构的垂直发光二极管
摘要 本实用新型实施例公开了一种具有电流阻挡结构的垂直发光二极管,包括:位于底层的金属衬底;位于金属衬底表面的种子层;位于种子层表面的反射层;位于反射层表面的多个第一电流阻挡结构;位于第一电流阻挡结构背离反射层一侧的外延层,外延层完全覆盖第一电流阻挡结构和反射层;位于外延层表面的电极焊条,电极焊条位于第一电流阻挡结构沿金属衬底至第一电流阻挡结构方向的正上方;位于外延层表面的第二电流阻挡结构,第二电流阻挡结构与第一电流阻挡结构在金属衬底上的投影不交叠;位于第二电流阻挡结构表面的电极焊盘。加强了焊盘区域对应的外延层部分的结构强度,在后续封装打线时,电极焊盘对应的外延层不易断裂,提高了封装良率。
申请公布号 CN204216067U 申请公布日期 2015.03.18
申请号 CN201420752427.2 申请日期 2014.12.03
申请人 佛山市国星半导体技术有限公司 发明人 康学军;徐亮
分类号 H01L33/14(2010.01)I;H01L33/38(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 主分类号 H01L33/14(2010.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 王宝筠
主权项 一种具有电流阻挡结构的垂直发光二极管,其特征在于,包括:位于底层的金属衬底;位于所述金属衬底表面的种子层;位于所述种子层表面的反射层;位于所述反射层表面的多个第一电流阻挡结构;位于所述第一电流阻挡结构背离所述反射层一侧的外延层,所述外延层完全覆盖所述第一电流阻挡结构和所述反射层;位于所述外延层表面的电极焊条,所述电极焊条位于所述第一电流阻挡结构沿所述金属衬底至所述第一电流阻挡结构方向的正上方;位于所述外延层表面的第二电流阻挡结构,所述第二电流阻挡结构与所述第一电流阻挡结构在所述金属衬底上的投影不交叠;位于所述第二电流阻挡结构表面的电极焊盘。
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