柱状半導体装置の製造方法

摘要

Ｓｉ柱６内にＮ＋領域２ａ及びＰ＋領域３ａを形成し、Ｓｉ柱６を囲むようにＨｆＯ２層９ａ、９ｃ、ＴｉＮ層１０ｂ、１０ｄ、ＳｉＯ２層１１ｂ、１１ｄを形成する。続いて、Ｎ＋領域２ａ、Ｐ＋領域３ａの側面と、ＴｉＮ層１０ｄの側面とに、それぞれコンタクト部２１ａ、２１ｂを開口する。続いて、Ｓｉ柱６の上方においてｉ層基板１の上表面に対して垂直な方向からＳｉ、Ｎｉ原子を入射し、Ｓｉ層、Ｎｉ層を形成する。その後の熱処理によって、Ｎｉシリサイド化によるＮｉＳｉ層１８ａ、２２を横方向に膨張させることでＮｉＳｉ層１８ａ、２２と、Ｎ＋領域２ａ及びＰ＋領域３ａ、又はＴｉＮ層１０ｄとの接続を行う。