| 发明名称 | 半导体封装、制造半导体封装的方法和叠层式半导体封装 | ||
| 摘要 | 在此公开了一种半导体封装、制造半导体封装的方法和叠层式半导体封装。根据本发明优选实施方式的半导体封装包括：基底，在该基底上形成第一电路层；半导体装置，形成在所述基底上；模制部，形成在所述基底上并形成以包围所述第一电路层和所述半导体装置；第一通道，形成在第一电路层上并形成为穿透所述模制部；以及第二电路层，形成在所述模制部的上表面上并与所述第一通道一体成型。 | ||
| 申请公布号 | CN104425398A | 申请公布日期 | 2015.03.18 |
| 申请号 | CN201410353021.1 | 申请日期 | 2014.07.23 |
| 申请人 | 三星电机株式会社 | 发明人 | 金泰贤;俞度在;朴兴雨 |
| 分类号 | H01L23/31(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/31(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人 | 孙向民;肖冰滨 |
| 主权项 | 一种半导体封装，包括：基底，在该基底上形成第一电路层；半导体装置，形成在所述基底上；模制部，形成在所述基底上并形成以包围所述第一电路层和所述半导体装置；第一通道，形成在所述第一电路层上并形成为穿透所述模制部；以及第二电路层，形成在所述模制部的上表面上并与所述第一通道一体成型。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||