基体鳍式场效晶体管不依赖栅极长度的气孔上覆硅架构

摘要

本发明涉及基体鳍式场效晶体管不依赖栅极长度的气孔上覆硅架构，其提供用于制造集成电路以及鳍式场效晶体管晶体管于基体基板上的方法，其中，主动通道区域以绝缘体隔绝该基板。一种用于制造集成电路的方法，包括形成鳍式结构覆盖于半导体基板上，每个鳍式结构包括通道材料并且从第一末端到第二末端朝纵向延伸。该方法沉积锚固材料于该鳍式结构上方。该方法包括凹陷该锚固材料以形成邻接该鳍式结构的沟槽，其中，该锚固材料与每个鳍式结构的该第一末端以及该第二末端维持接触。进一步来说，该方法以不依赖栅极长度的蚀刻程序于该半导体基板以及每个鳍式结构的该通道材料间形成空隙，其中，每个鳍式结构的该通道材料悬挂在该半导体基板上方。

主权项

一种用于制造鳍式场效晶体管FinFET晶体管的方法，该方法包括：形成鳍式结构覆盖在半导体基板上，其中，每个鳍式结构包括通道材料，并且从第一末端到第二末端朝纵向延伸；沉积锚固材料在该鳍式结构上方；凹陷该锚固材料以形成邻接该鳍式结构的沟槽，其中，该锚固材料维持与每个鳍式结构的该第一末端和该第二末端接触；以及以不依赖栅极长度的蚀刻程序在该半导体基板及每个鳍式结构的该通道材料间形成空隙，其中，每个鳍式结构的该通道材料悬挂在该半导体基板上方。