发明名称 高纯度镱、包含高纯度镱的溅射靶、含有高纯度镱的薄膜及高纯度镱的制造方法
摘要 本发明提供一种高纯度镱的制造方法,其特征在于,将粗氧化镱在真空中用包含蒸气压低的金属的还原性金属进行还原,并且选择性地将镱蒸馏,从而得到高纯度镱。本发明的目的在于提供能够有效且稳定地提供将蒸气压高、金属熔融状态下难以纯化的镱高纯度化的方法以及由该方法得到的高纯度镱以及包含高纯度材料镱的溅射靶以及含有高纯度材料镱的金属栅用薄膜。
申请公布号 CN101835914B 申请公布日期 2015.03.18
申请号 CN200880113007.7 申请日期 2008.09.24
申请人 JX日矿日石金属株式会社 发明人 新藤裕一朗;八木和人
分类号 C22B59/00(2006.01)I;C22B5/04(2006.01)I;C22B9/02(2006.01)I;C22B9/16(2006.01)I;C22C28/00(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I 主分类号 C22B59/00(2006.01)I
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人 王海川;穆德骏
主权项 一种高纯度镱的制造方法,其特征在于,使用纯度2N以上且低于4N的氧化镱原料,将该氧化镱与还原性金属一起在真空中加热,使加热还原后的镱以蒸馏物形式贮留在设定于200~600℃的冷凝器部,从而得到除稀土元素和气体成分以外的纯度为4N以上,并且碱金属和碱土金属的各元素分别为50重量ppm以下的高纯度镱。
地址 日本东京都