一种自对准接触工艺

摘要

本发明提供了一种自对准接触工艺方法，包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底上形成栅堆叠，在栅堆叠两侧形成侧墙，在侧墙两侧的衬底内形成源漏区；在所述衬底的上方淀积一层接触层，所述接触层覆盖源漏区、侧墙和栅堆叠；选择性刻蚀部分所述接触层，保留源漏区、栅堆叠和侧墙上方的部分；淀积层间介质层，并进行表面平坦化，至露出栅堆叠时停止。与此相应的，本发明还提供了一种半导体结构。本发明通过采用先沉积接触层的方法，降低了光学对准的难度，增加了对准精度，可以有效缩短源漏之间的距离，减小沟道电阻，增加集成度。

主权项

一种自对准接触孔刻蚀工艺方法，该方法包括以下步骤：a)提供衬底（100）；b）在所述衬底上（100）形成栅堆叠(320)，在栅堆叠两侧形成侧墙（300），在侧墙两侧的衬底内形成源漏区（110）；c）在所述衬底的上方淀积一层接触层(410)，所述接触层覆盖源漏区(110)、侧墙(300)和栅堆叠(320)；d）选择性刻蚀部分所述接触层（410），保留源漏区（110）、栅堆叠（320）和侧墙（300）上方的部分；e）淀积层间介质层（310），并进行表面平坦化，至露出栅堆叠（320）时停止。