| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件制作方法，包括：提供衬底，在衬底上形成栅极；在栅极两侧形成侧墙；进行SPT工艺，减薄所述侧墙，暴露出部分衬底；在暴露的衬底部分形成保护层；在所述衬底上形成应力膜；在所述应力膜上形成层间介质层；刻蚀所述层间介质层和应力膜形成通孔。本发明能防止在刻蚀通孔时对衬底Si造成损伤，造成器件漏电的问题，提高了产品良率和器件的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN104425382A | 申请公布日期 | 2015.03.18 |
| 申请号 | CN201310407727.7 | 申请日期 | 2013.09.09 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 李凤莲;倪景华 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种半导体器件制作方法，包括：提供衬底，在衬底上形成栅极；在栅极两侧形成侧墙；进行SPT工艺，减薄所述侧墙，暴露出部分衬底；在暴露的衬底部分形成保护层；在所述衬底上形成应力膜；在所述应力膜上形成层间介质层；刻蚀所述层间介质层和应力膜形成通孔。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||