发热后可增加外围超氧根离子浓度之陶瓷半导体

摘要

本发明提供一种发热后可增加外围超氧根离子浓度之陶瓷半导体，可增加外围超氧根离子(O₂^-)浓度，该陶瓷半导体于成型时掺加有可增强空间电荷效应的氧化物材料，且该陶瓷半导体具有复数个贯穿的通孔，该陶瓷半导体通电后产生电流及热，造成该陶瓷半导体的外层电子脱离，并留在该陶瓷半导体的通孔，且在该通孔累积形成电子云，空气经过该通孔后，空气中的氧与电子经冲撞后再结合，即形成超氧根离子(O₂^-)，由此，增加外围超氧根离子(O₂^-)量，以此高浓度超氧根离子(O₂^-)作为杀菌、活化细胞及帮助伤口愈合等效果。

主权项

一种发热后可增加外围超氧根离子浓度之陶瓷半导体，其特征在于：该陶瓷半导体于成型时掺加有可增强空间电荷效应的氧化物材料，且该陶瓷半导体具有一个以上贯穿的通孔；由此，该陶瓷半导体通电后产生电流及热，造成该陶瓷半导体外层电子脱离并留在通孔，且在通孔累积形成电子云，空气经过通孔后，空气中的氧与电子冲撞后结合，形成超氧根离子，使该陶瓷半导体可释出超氧根离子。