| 发明名称 | 减少损坏的低k电介质刻蚀的方法 | ||
| 摘要 | 本发明的实施方式提供了将特征刻蚀进设于有机掩膜下方的低k介电层的方法。穿过所述有机掩膜将特征刻蚀进所述低k介电层。在所述低k介电层上淀积碳氟化合物层。固化所述碳氟化合物层。剥除所述有机掩膜。 | ||
| 申请公布号 | CN102365718B | 申请公布日期 | 2015.03.18 |
| 申请号 | CN201080017817.X | 申请日期 | 2010.04.05 |
| 申请人 | 朗姆研究公司 | 发明人 | 兵·纪;竹下健二;安德鲁·D·贝利三世;埃里克·A·赫德森;里亚姆·莫拉维茨;史蒂芬·M·施瑞德;高贞民;丹尼尔·乐;罗伯特·C·赫夫提;程宇;赫拉尔多·A·德尔加迪尼奥;毕-明·殷 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I;H05H1/34(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人 | 李献忠 |
| 主权项 | 将特征刻蚀进设于有机掩膜下方的低k介电层的方法，包括：穿过所述有机掩膜将所述特征刻蚀进所述低k介电层；在所述低k介电层上淀积碳氟化合物层；固化所述碳氟化合物层；以及剥除所述有机掩膜。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||