| 发明名称 | 一种MOS晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种MOS晶体管及其制造方法。所述MOS晶体管的栅极嵌于所述半导体衬底的阱区内，MOS晶体管的源漏极分别位于MOS晶体管的相对两端。上述结构在向MOS晶体管施加源漏电压后，源漏极之间载流子围绕MOS晶体管栅极迁移，与现有位于阱区上方的栅极结构的MOS晶体管相比，在MOS晶体管在半导体衬底上占用相同面积的条件下，上述技术方案可有效提高MOS晶体管的电流密度，并有效避免短沟道效应，从而提高MOS晶体管的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN104425590A | 申请公布日期 | 2015.03.18 |
| 申请号 | CN201310365604.1 | 申请日期 | 2013.08.20 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 王海强;汪铭 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种MOS晶体管，其特征在于，包括：在半导体衬底内的阱区；嵌于阱区内的栅极；位于所述阱区内，且位于所述栅极两侧的源极和漏极。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||