电阻式随机存取存储器及其制造方法

摘要

本公开提供一种半导体结构，其包括导电层和导电层上方的电阻可配置结构。电阻可配置结构包括第一电极、第一电极上方的电阻可配置层以及电阻可配置层上方的第二电极。第一电极具有第一侧壁、第二侧壁以及导电层上的底面。第一侧壁和第二侧壁之间的接合处包括电场增强结构。本公开还提供一种用于制造以上半导体结构的方法，包括：图案化导电层上的硬掩模；在硬掩模周围形成间隔件；去除硬掩模的至少一部分；在间隔件上形成共形电阻可配置层；以及在共形电阻可配置层上形成第二导电层。本公开还提供了一种制造电阻式随机存取存储器(RRAM)的方法。

主权项

一种半导体结构，包括：导电层；电阻可配置结构，位于所述导电层上方，所述电阻可配置结构包括：第一电极，包括第一侧壁、第二侧壁以及所述导电层上的底面，其中，所述第一侧壁和所述第二侧壁之间的接合处包括电场增强结构；电阻可配置层，位于所述第一电极上方；以及第二电极，位于所述电阻可配置层上方。