半导体装置

摘要

一种半导体装置，具备具有第1面和对置于上述第1面的第2面的第1导电型的第1半导体层、和形成在上述第1半导体层的上述第1面上的第2导电型的第2半导体层。进而，上述装置具备形成于上述第1及第2半导体层上且在与上述第1面平行的第1方向上延伸的多个控制电极、和在上述第2半导体层的与上述第1半导体层相反的一侧沿着上述第1方向交替地形成的多个上述第1导电型的第3半导体层及多个上述第2导电型的第4半导体层。进而，上述装置具备在上述第2半导体层的上述第1半导体层侧、或被上述第2半导体层包围的位置上形成的多个上述第1导电型的第5半导体层；上述第5半导体层沿着上述第1方向相互离开而配置。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具备：第1导电型的第1半导体层，具有第1面、和对置于上述第1面的第2面；第2导电型的第2半导体层，形成在上述第1半导体层的上述第1面上；多个控制电极，隔着绝缘膜形成在上述第1半导体层及第2半导体层上，在平行于上述第1面的第1方向上延伸；多个上述第1导电型的第3半导体层及多个上述第2导电型的第4半导体层，在上述第2半导体层的与上述第1半导体层相反的一侧，沿着上述第1方向交替地形成；以及多个上述第1导电型的第5半导体层，在上述第2半导体层的上述第1半导体层侧、或被上述第2半导体层包围的位置上形成，上述第5半导体层沿着上述第1方向相互离开而配置。