| 发明名称 | 插塞的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种插塞的形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成介质层；在所述介质层中形成接触孔；在所述接触孔内填充牺牲层，所述牺牲层上表面低于所述介质层上表面；刻蚀未被所述牺牲层覆盖的接触孔侧壁；刻蚀未被所述牺牲层覆盖的接触孔侧壁后，去除所述牺牲层；去除所述牺牲层后，在所述接触孔内填充插塞材料，形成插塞。由本发明的方法形成的插塞中无缝隙存在。 | ||
| 申请公布号 | CN104425358A | 申请公布日期 | 2015.03.18 |
| 申请号 | CN201310382848.0 | 申请日期 | 2013.08.28 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 韩秋华;黄敬勇 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种插塞的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成介质层；在所述介质层中形成接触孔；在所述接触孔内填充牺牲层，所述牺牲层上表面低于所述介质层上表面；刻蚀未被所述牺牲层覆盖的接触孔侧壁；刻蚀未被所述牺牲层覆盖的接触孔侧壁后，去除所述牺牲层；去除所述牺牲层后，在所述接触孔内填充插塞材料，形成插塞。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||